GB/T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片.pdf

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GB/T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片.pdf

氧化诱生缺陷的检验按GB/T4058的规定进行。 10表面微粗糙度的检验按GB/T29505的规定进行。 11表面纳米形貌的检验按SEMIM43的规定进行。 12近边缘几何形态的评价按SEMIM67或SEMIM68或SEMIM70或SEMIM77的规定进行

6.1.1产品应进行检验,供方应保证产品质量符合本文件及订货单的规定。 6.1.2需方可对收到的产品进行检验。若检验结果与本文件规定不符时,应在收到产品之日起三个月 内以书面形式向供方提出,由供需双方协商解决

COP抛光片应成批提交验收,每批应由相同规格

5.1导电类型的检验结果中有任意一片不合格时,判该批产品为不合格。 5.2电阻率、厚度及允许偏差、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、总平整度、局部平整度、表面质量的接 量限(AQL)按表4的规定进行,或由供需双方协商确定。

GB/T41325—2022

表4接收质量限(续)

光散射体、表面金属、体金属(铁)含量、氧化诱生缺陷、表面微粗糙度、表面纳米形貌、近边 检验结果的判定由供需双方协商确定

包装、标志、运输、购存和随行文件

a) 供方名称; b) 产品名称; C) 产品数量; d)“小心轻放”“防潮”“易碎”“防腐”标志或字样

出厂日期; g) 本文件编号。

需方宜根据自身的需要,在订购本文件所列产品的订货单内CNAS RL03:2013 实验室和检查机构认可收费管理规则,列出以下内容: a)产品名称; b) 产品技术要求; 产品数量; 本文件编号: e 本文件中要求在订货单中注明的内容; f) 其他。

需方宜根据自身的需要,在订购本文件所列 a)产品名称; b)产品技术要求; c)产品数量; d)本文件编号; 2 本文件中要求在订货单中注明的内容; f) 其他。

GB/T413252022

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