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GB／T 41041-2021 宇航禁限用元器件控制要求.pdf前应根据元器件相关可靠性数据并结合具体使用状态及风险承
5.3.2禁用元器件选用审查
元器件使用单位在宇航装备方案设计和初样研制阶段应组织进行本单位元器件选用审查，识别出 选用的禁用元器件，并进行改型，
5.3.3禁用元器件审查意见落实
元器件禁限用控制要求的禁用元器件审查意见落实如下DB32T 3894.2-2020 工程建设项目远程开标工作规范第2部分：运行管理， a）元器件技术委员会应对选用禁用元器件的改型提供技术支持； D 元器件使用单位在宇航装备方案设计或初样研制阶段应进行元器件状态检查，对禁用元器件 的改型意见落实情况进行汇总和确认
5.3.4限用元器件选用审查
元器件使用单位在手 件选用审查，对 限用元器件提前识别.如无替代 行风险评估
5.3.5限用元器件申报和审批
元器件禁限用控制要求的限用元器件申报和审批如下： a）元器件使用单位应对使用的限用元器件向元器件技术委员会进行申报，明确限用元器件使用 情况和采取的针对性措施； b）元器件技术委员会应对使用的限用元器件进行技术把关，结合元器件质量保证经验和型号使 用经历，提出相应的审批意见
5.3.6限用元器件审批意见落实
元器件禁限用控制要求的限用元器件审批意见落实如下
GB/T 410412021
b）元器件使用单位应在方案设计或初样阶段进行限用元器件过程确认，对限用元器件的审批和 意见落实情况进行汇总和确认： 元器件技术委员会应在型号研制过程中对本单位使用的限用元器件开展复核复审工作，重点 审查风险分析是否全面到位，审查会议待办事项 否落实，审批意见是否落实等
元器件禁限用控制要求的应用验证如下。 a）元器件评估。对采用新设计、新工艺或新材料的元器件，应针对性开展一系列试验、分析工作， 以评价元器件的研制成熟度并指导选用，按照GB/T29074执行。评价工作一般包括以下 内容： 1）功能性能分析。应在不同的工作条件（如温度、频率、电源电压、输入电平、负载等）下开展 元器件测试覆盖性分析，测试应包括针对结构和系统应用的测试向量，给出测试覆盖性分 析报告，应统计一定数量器件的测试结果。 2） 结构分析。应针对元器件的代表样品进行结构分析，包括破坏性和非破坏性检验、分析和 试验。通过结构分析技术可有效地识别元器件的宇航禁限用设计、材料、结构、工艺和潜 在应用风险。 3 评估试验。应通过耐久性试验、机械应力、环境应力、抗辐射能力评估等手段对元器件宇 航应用的潜在失效模式和薄弱环节进行暴露。 b）元器件验证。对采用新设计、新工艺或新材料的元器件，在评估的基础上，元器件使用单位应 结合具体应用条件和环境，考虑元器件可能存在的失效机理和宇航禁限用案例，制定针对性验 证方案，开展一系列试验、分析和验证工作并出具验证报告和应用指南，以评价元器件的宇航 应用成熟度或全航产品可用性并指导选用
质量保证机构依据元器件使用单位采购技术协议或合同要求，对拟用于宇航装备的元器件是否存 在宇航禁限用限制要求进行符合性判别，并向元器件使用单位明示
6宇航禁限用元器件清单管理
宇航禁限用元器件清单管理的识别原则如下： a 出于健康和安全性考虑，含有可能导致安全性危险材料的元器件； b 可靠性可疑元器件： C 由于寿命有限，已知不稳定、存在安全性风险或可靠性风险的元器件； d）存在机械应力敏感、耐温等级低等不满足航天器高可靠要求的元器件
宇航禁限用元器件清单管理的识别来源如下： a）元器件生产制造、评价与验证过程中发现符合禁限用元器件识别原则的元器件： b）元器件使用过程中（如失效分析）发现符合禁限用元器件识别原则的元器件；
c）经国内外宇航机构或元器件研制单位等公开发表的禁限用元器件的相关信息。
6.3禁限用元器件清单编制
收集元器件便 的禁限用信息，编制禁限用元器 禁限用元器件清单见附录A，
6.4禁限用元器件清单评审
用元器件清单编制部门应组织对禁限用元器件清
6.5禁限用元器件清单发布
6.6禁限用元器件清单更新
禁限用元器件清单应结合实际情况进行动态更
GB/T410412021
宇航禁限用元器件清单示例
禁限用元器件通用示例如下。 a）内部采用低温焊料的元器件，其粘接合金的熔化温度不满足宇航应用的最终安装使用条件，外 界的环境应力可能会导致内部粘接合金的熔化，从而导致芯片或内部元件脱落。因此，内部焊 接用焊料温度低于安装使用条件的元器件禁止使用 镉、锌材料在真空下存在升华向题，材料的升华容易造成污染和不同电位之间的绝缘降低同 题。因此，采用纯镐、锌作为引线和外表面镀层的元器件禁正使用。 纯锡（铅质量分数小于3%)材料会生长锡须，锡须易导致金属多余物短路等问题，对设备危害 巨大。因此，内部空腔使用纯锡的元器件禁止使用，纯锡、锡铈合金作为引线和外表面镀层的 元器件限制使用。 d）由于无钝化层保护，芯片易吸附杂质，导致半导体芯片电性能异常。因此，有源区未钝化的半 导体芯片禁止使用。 在非刚性引线的内镀层化学镀镍，化学镀镍性脆，弯折应力易使镀镍层脱落，导致多余物短路 等问题。因此，非刚性引线内镀层采用化学镀镍工艺的元器件禁止使用。 锗半导体器件极限结温较低。因此，锗半导体器件禁止使用。 在镀金层上使用铅锡焊料，焊接过程中金与锡会形成金属间化合物，导致纯铅的析出，纯铅容 易生长铅须，铅须容易造成绝缘下降或短路。因此，内部存在铅质量分数>50%的铅锡焊料与 金直接焊接工艺的元器件限制使用。 金铝键合在长期使用和贮存后，金和铝之间会生成一系列金属间化合物，这些化合物的导 电性能差，高温下金向铝中迅速扩散，造成键合点附近出现空洞，导致键合点出现高阻或者 开路失效，贮存可靠性差。因此，芯片键合区采用金属材料不同的键合工艺的元器件限制 使用。 1） 含有氧化镀、镉、锂、镁、汞等有毒或有害元素的元器件，可能导致人身健康损伤。因此，出于健 康和安全性考虑，在针对此类器件开展选用或者质量保证的过程中，注意人身安全。 梁式引线结构元器件抗机械应力性能差。因此，梁式引线结构元器件限制使用。 k 由于塑封料材料的吸潮特性，可能会出现塑封料和引线框架、芯片间的分层或电装加热过程中 出现“爆米花”效应等。因此，塑封料封装元器件限制使用
A.2.2半导体分立器件
电阻器详细示例如下。 ）空心电阻器在低气压下会出现辉光放电问题。因此，空心电阻器禁止使用。 表面保护涂层未全部覆盖金属薄膜的陶瓷基体薄膜固定电阻器禁止使用。 膜层厚度不够，易出现机械操作损坏，且电阻膜的负荷能力不够易导致电阻器开路。因此，电 阻膜厚度低于35nm的片式电阻器禁止使用。 1 碳膜电阻器禁止使用。 银或银钯引线片式电阻器对于焊料浸析能力差。因此，采用银或银钯作为引线的片式电阻，如 果焊料和引线之间没有镍或铜的浸析阻挡层，禁止使用。 锡焊熔点低，受热熔化后造成电阻器开路。因此，内部采用锡焊工艺的功率线绕电阻器禁止 使用。 挤压连接抗力学性能差。因此，挤压连接的线绕电阻器禁止使用。 电阻丝过细，容易断裂。因此，绝对线径小于2.5um的线绕电阻器禁止使用。 可调电阻器在复杂的环境应力下可能会出现意外的不稳定或变化。因此可调节电阻器限制 使用。
电容器详细示例如下。 a）电极材料为银的瓷介电容器禁止使用。 b）长宽比较大，细长的结构强度较低，容易断裂。因此，长宽比大于2：1且外形尺寸大于1206 的片式瓷介电容器禁止使用， 额定电压25V，电介质厚度小于7um；额定电压50V，电介质厚度小于10μm；额定电压 100V及以上，电介质厚度小于15um的瓷介电容器的限制使用
电容器详细示例如下。 a）电极材料为银的瓷介电容器禁止使用。 b）长宽比较大，细长的结构强度较低，容易断裂。因此，长宽比大于2：1且外形尺寸大于1206 的片式瓷介电容器禁止使用， 额定电压25V，电介质厚度小于7um；额定电压50V，电介质厚度小于10μm；额定电压 100V及以上，电介质厚度小于15um的瓷介电容器的限制使用
GB/T410412021
可调电容器在复杂的环境应力下可能会出现意外的不稳定或变化。因此，手工调节元器件限 制使用。 e） 银外壳电容器易发生银离子迁移，造成电容器短路失效。因此，银外壳非固体钼电容器限制 使用。
电连接器详细示例如下。 铝表面直接镀金的电连接器电镀工艺控制难度较大，易出现镀层质量问题；因此，铝外壳表面 直接镀金的电连接器禁止使用。 b） 镀镉或者镀锌连接器禁止使用。 c）连接器及接触件采用纯锡镀层的电连接器禁止使用。 d 由于在低轨道运行中原子氧的氧化作用，银不能用作电连接器表面镀层，也不允许作为电连接 器底镀层。因此，使用银作为底镀层或者表面镀层的电连接器禁止使用。 e 通过弹性插针与PCB采用压配互联的板间连接器，电连接器通过插针根部弹性结构，以压配 方式与印制板连接QMYZ 0001S-2015 罗庄区蒙源斋八宝豆豉厂 八宝豆豉，存在电接触不良等可靠性隐患。因此，通过弹性插针与PCB采用压配互 联的板间连接器限制使用。 插针、插孔与内部陶瓷基板为单面焊接结构的射频同轴衰减器，在装配过程中，安装外力容易 导致插针或插孔与内部陶瓷基片焊接开裂，造成开路失效。在使用过程中，应保证对准插合， 避免使插针或插孔受异常安装应力。因此，插针、插孔与内部陶瓷基板为单面焊接结构的射频 同轴衰减器限制使用
频率元件详细示例如下 低频石英谐振器的寄生频点和主振频点的振幅相差不大，在使用中相对高频石英谐振器，更容 易跳到寄生频率上。因此，频率低于2.9MHz的石英谐振器禁止使用。 D 高次泛音型石英晶体振荡器，存在频率不太稳定的问题，容易发生跳频。因此，五次泛音型石 英晶体振荡器禁止使用
绝缘材料额定工作温度小于75℃，不满足宇航装备元器件工作温度范围要求。因此，绝缘材料额 定工作温度小于75℃的电线电缆禁止使用。
熔断器详细示例如下。 a）带支架的插人式熔断器抗力学性能差，因此，需要用支架的插人式熔断器禁止使用。 b） 管状熔断器的核心机构是熔丝，5A以下的熔丝比较细，其质量一致性不容易保证；另外，熔丝 汽化后的金属淀积和熔断后的辉光放电可能导致不能正常断开，烧毁后端产品。因此，5A以 下的管状熔丝型熔断器禁止使用
继电器详细示例如下。 a）非熔焊结构会导致继电器密封性不能满足要求，在真空中使用时内部气压不断下降，出现整
NB/T 10135-2019 大中型水轮机基本技术规范可变电感或可变线圈禁止使用