GB/T 11073-1989 硅片径向电阻率变化的测量方法 更新时间:2008年02月19日 资源 GB/T 11073-1989 硅片径向电阻率变化的测量方法 积分0.00 特惠 积分0 VIP全站资料免积分下载 立即下载 同类资料根据编号标题搜索 文档 仅供个人学习 反馈 标准编号:GB/T 11073-1989 文件类型:.rar 资源大小:357.0KB 标准类别:国家标准 资源ID:8164 VIP资源 GB/T 11073-1989标准规范下载简介: GB/T 11073-1989 硅片径向电阻率变化的测量方法 本标准规定了用直排四探针方法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。本标准适用于硅片厚度小于探针平均间距。 有色冶金标准 民政标准 通信标准 海军标准 国家*用标准 海关标准 医药标准 地质矿产标准 土地管理标准 金融标准 稀土标准 ©版权声明 资源来自互联网,如有侵权请联系删除 同类资源: 上一篇 GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法 下一篇 GB/T 11105-1989 金属粉末压坯的拉托拉试验 相关文章