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SJ 21152-2016 微波组件元器件选用指南.pdfa)1级：耐浸渍和耐潮湿的电感器； b）2级：耐潮湿的电感器； c）3级：用于密封组件的电感器。
.2.2电感器按其最高工作温度（温升加最高环
a)0类：85℃; b)A类：105℃; c)B类：125℃; d)C类: 150 ℃.
电感器的降额的主要参数是热点温度(Ths)。为防止绝缘击穿，线圈的绕组电压应维持在降额值 感器的热点温度降额值与线圈绕组绝缘性能、工作电流、瞬态初始电流及介质耐压有关。电感器的 温度可用公式（1）近似计算：
GB 31646-2018 食品安全国家标准 速冻食品生产和经营卫生规范THs=TA+1.14 T..
热点温度，单位为摄氏度（℃）； TA 环境温度，单位为摄氏度（℃）； △T温升，单位为摄氏度（℃）。 电感器的降额等级见表7。
表7电感器的降额等级
普通二极管有：检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等；特殊用途的有：变容二极 管、发光二极管、磁敏二极管、光电二极管、激光二极管等。在选用各类半导体二极管时，应根据用途、 性能、主要参数和电路的不同要求来选择。
二极管的降额准则如下： a）选用时应考虑主要参数的容差，容差要求如下： 1）正向电压：±10%； 2）稳定电压：±2%（适应于稳压二极管）； 3）恢复和开关时间：±20%。 b）二极管的反向电压、正向电流、额定功率的降额准等级见表8：
表8反向电压、正向电流、额定功率的降额等
表9二极管最高结温降额等级
二极管选用时注意以下几点： a）工作电压应小于二极管的反向击穿电压； b） 工作电流应小于二极管的额定电流； c）工作结温应小于二极管的允许最高结温； d 工作频率应满足微波组件工作的要求。如Ku波段开关、限幅二极管可选用芯片二极管，采用 键合线键合到微波电路中，以达到频率高、插损小的目的
4.5.1.1晶体管按频率可低频晶体管、高频晶体管、微波晶体管等。 4.5.1.2按功率划分可分为小功率晶体管、中功率晶体管、大功率晶体管。 4.5.1.3晶体管按功能分为放大、混频、开关、振荡等类。 4.5.1.4晶体管按结构可分为双极型晶体管（BJT）、场效应晶体管（FET）全
5.1.5晶体管按代划分有一代器件（硅、锗材料等）、二代器件（砷化镓、磷化铟材料等）、三 件（碳化硅、氮化镓材料等）
表10晶体管四种质量保证等级要求的主要差
4.5.3.1降额参数
表11晶体管的降额等级
表11晶体管的降额等级
4.5.3.2最高结温降额
降额后的最高经 见表12。
表12晶体管量高结温降额等
为了保证微波组件长期可靠工作，设计和选用晶体管时应考虑的晶体管主要参数容差，其数值如下： a 电流放大倍数：±15%（适用于已经筛选的晶体管）、±30%（适用于未经筛选的晶体管）； b）开关时间：20%; c饱和压降：15%。
4.5.5.1高频电路选用高频晶体管，截止频率应是工作频率fo的3倍。 4.5.5.2脉冲电路应选用开关晶体管，且具有电流容量大，大电流特性好，饱和压降低的性1 4.5.5.3用于低噪声接收组件的晶体管，选用低噪声晶体管。 4.5.5.4发射组件选用功率或大功率晶体管。
4.5.5.2脉冲电路应选用开关晶体管，且具有电流容量大，大电流特性好，饱和压降低的性能。 .5.5.3用于低噪声接收组件的晶体管，选用低噪声晶体管。 .5.5.4发射组件选用功率或大功率晶体管。 .5.5.5 微波场效应晶体管的选用应按以下要求： a 微波场效应晶体管的工作频率应满足微波组件工作频率的要求； b 微波场效应晶体管的增益、噪声、功率等电参数应满足微波组件相关参数的设计要求； C 微波场效应晶体管的最高结温因制作材料不同而不同，结温降额应满足表12的要求； d) 微波场效应晶体管的管脚的可焊性应符合SJ/T10669中的要求； e 芯片类微波场效应晶体管芯的正面、背面及键合压点处应清洁、无氧化层，应满足GJB548 相关试验要求。
4.5.5.5微波场效应晶体管的选用应按以下要求：
a）微波场效应晶体管的工作频率应满足微波组件工作频率的要求； b 微波场效应晶体管的增益、噪声、功率等电参数应满足微波组件相关参数的设计要求； C 微波场效应晶体管的最高结温因制作材料不同而不同，结温降额应满足表12的要求； d 微波场效应晶体管的管脚的可焊性应符合SJ/T10669中的要求； e 芯片类微波场效应晶体管芯的正面、背面及键合压点处应清洁、无氧化层，应满足GJB 相关试验要求，
学电路两大类 中规模集成电路、小规模集成电路。
半导体集成电路的质量保证等级分为两个等级，从低到高分别为B级和S级，这两个质量保证等 了生产过程控制要求不同外，检验和试验项目以及严酷度等级也不同，详细见GJB597。
4.6.3.1模拟集成电路
模拟集成电路降额主要有下列几点，降额值见表13： a）电源电压从额定值降额； b）输入电压从额定值降额； c）输出电流从额定值降额； d）功率从最大允许值降额； e）结温降额给出最高允许结温
4.6.3.2.2MOS型数字电路
4.6.3.2.2MOS型数字电路
MOS型数字电路降额准则见表15。其中： a）电源电压给出额定值降额：
b）输出电流从额定值降额； c）频率从额定值降额； d）结温给出了最高允许结温
b）输出电流从额定值降额；
表15MOS型数字电路降额等级
6.4辐照强度保证等级
微波器件工作在空间天然粒子辐射的环境时应 选择手规用 微波器件，应根据空间辐射环境条件及器件工作时间的长短，同时还应考虑航天器本身的屏蔽效应，微 波元器件应按表16选择适用器件的辐照强度保证等级
表16辐照强度保证（RHA）等级和要求
微波元器件抗静电主要针对微波半导体器件，按GJB548方法3015分为7个等级。如表17所示，静电 敏感度高，其抗静电能力愈强
表17器件的静电放电（ESD）失效阅值分级
宇航产品一般选择静电敏感等级为高
宇航产品一般选择静电敏感等级为高等级的静电敏感微波半导体器件，如待选的微波半导体器件才 标明静电敏感等级，必要时应进行抗静电能力评价试验，确定该品种抗静电能力的平均水平。
碑化镓单片微波集成电路的选用应按以下要求： a）砷化镓单片微波集成电路的工作频率应满足微波组件工作频率的要求； b）砷化镓单片微波集成电路的增益、噪声、功率等电参数应满足微波组件相关参数的设计要求； 砷化单片微波集成电路最高结温为175℃，结温降额应满足表12的要求； 砷化单片微波集成电路管脚的可焊性应符合SJ/T10669中的要求； 砷化镓单片微波集成电路封装应满足GJB623的要求； 芯片类砷化镓单片微波集成电路正面、背面及键合压点处应清洁、无氧化层，应满足GJB548 的相关要求
4.7.2.1用于微波组件射频传输的连接器应选用阻抗为50Q的微波连接器；其型号可分为SMA，SMP
4.7.2.1用于微波组件射频传输的连接器应选用阻抗为50Q的微波连接器；其型号可分为SMAYD/T 3104-2016 空中下载（OTA）业务终端测试方法，SMP 等。
4.7.2.2微波连接器的工作频率应满足微波组件工作频率的要求。 4.7.2.3微波连接器的内导体与外导体应是密封的，其密封性应满足SJ/T10669中的要求。 4.7.2.4频率较高的微波组件可选用玻璃绝缘子连接器，玻璃绝缘子连接器可以工作更高的工作频率
4.7.2.2微波连接器的工作频率应满足微波组件工作频率的要求。 4.7.2.3微波连接器的内导体与外导体应是密封的，其密封性应满足SJ/T10669中的要求。 4.7.2.4频率较高的微波组件可选用玻璃绝缘子连接器，玻璃绝缘子连接器可以工作更高的工作频率
7.2.5微波绝缘子的内外导体之间的电阻应满足SJ1270的规定，室温下应不小于10°MQ；高温 85℃）下应不小于10°MQ。 7.2.6用于功率放大输出或功率发射输出的连接器应选择其功率容量大于微波组件微波输出功率。 7.2.7微波连接器分螺钉安装型和烧结型，烧结表面的可焊性及连接器的内导体的可焊性应符合 /T10669中的要求。
4.7.4微波隔离器、环行器
4.7.5.1晶体振荡器的振荡频率应满足微波组件的工作要求， 4.7.5.2晶体振荡器封装外壳的尺寸应符合相关规范的规定。 4.7.5.3晶体振荡器频率稳定度不应超过规定的极限值。 4.7.5.4晶体振荡器稳态相位噪声不应超过规定值 4.7.5.5有抗辐照要求的晶体振荡器，选用时其总剂量辐照及中子辐照值不应超过规定值 4.7.5.6晶体荡器的输出端的可焊性应符合G.JB360方法208中规定的试验判据。
YD/T 3074-2016 基于分组网络的频率同步互通技术要求及测试方法5微波组件元器件替代使用原则
5.1替代使用程序控制
本：880×12301/16印张： 字数：30千字 2017年1月第一版2017年1月第一次印刷 印数：200册定价：50.00元