Q/GDW 11646-2016 7.2kV-40.5kV绝缘管型母线技术规范.pdf

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Q/GDW 11646-2016 7.2kV-40.5kV绝缘管型母线技术规范.pdf

绝缘管型母线的额定电压见表1

按GB/T762的规定,绝缘管型母线的额定电流为:630、800、1000、1250、1600、2000 2500、3150、4000、5000、6300、8000A

绝缘管型母线的额定频率为50Hz(或60Hz)

5.6额定短路持续时间

DB11T 351-2006 乡村民俗旅游户等级划分与评定Q/GDW116462016 见GB/T11022的要求。

绝缘管型母线的绝缘水平应符合GB311.1的规定,见表2

表2绝缘管型母线的绝缘水平

绝缘管型母线的绝缘水平

5.8导体最高允许温度与温升

按GB/T11022的规定,绝缘管型母线正常运行时,导体的最高允许温度不高于90℃、周 围空气温度不超过40℃时的温升不大于50K

绝缘管型母线技术要求

Q/GDW 116462016

绝缘管型母线本体应包括:管型导体、导体屏蔽层、绝缘层(可设置多层)、绝缘屏蔽 层(可设置多层)、金属屏蔽层及外护层。

7.1.2.1导体材料应采用铜管。

7.1.2.1导体材料应采用铜管。

7.1.2.1导体材料应采用铜管。 7.1.2.2导体截面由供方根据采购方提供的使用条件计算确定,并提交详细的载流量计算 报告,或由采购方自行确定导体截面。 7.1.2.3导体材料应选用T2及以上牌号铜材,性能应符合GB/T5231及GB/T19850的规 定。导体的结构尺寸、表面粗糙度、外观质量应满足相关标准要求。

绝缘层主绝缘材料应采用固 如环氧 乙丙橡胶、硅橡胶、聚四氟乙烯、 聚酯薄膜、聚乙烯。绝缘结构应采用真空浸渍式、 挤包式或机械绕包式工艺。参见附录B。

在绝缘层外应有绝缘屏蔽,绝缘屏蔽层应采用非金属半导电材料,绝缘屏蔽层应与绝缘 层紧密结合。

在最外层绝缘屏蔽的外侧应有金属屏蔽,金属屏蔽采用铜带绕制或铜编织带与铜带相 合制作,采用铜带绕制的,铜带标称厚度不小于0.1mm,搭盖率不小于5%;采用铜编织带与 铜带相结合制作的,铜编织带规格不小于20mm宽×0.2mm厚,铜带规格不小于2根20mm宽× 0.2mm厚。金属屏蔽层通过铜接地线与现场接地系统可靠连接,接地线截面应不小于金属屏 蔽层截面。

外护层是绝缘管型母线的非金属外护层 可采用热收缩材料。外护层材料的耐温性能应 能适应绝缘管型母线的使用环境温度和导体正常运行下的最高温度,应有良好的耐候性和阻 燃性,其阻燃性能应不低于C级。外护层的基本性能要求见附录A。

母线终端分为散开式和插拔式,应有应力疏散措施,满足从高电位到零电位的均匀过渡, 并应符合下述要求:

Q/GDW116462016

Q/GDW 116462011

a)散开式终端,即母线接线端子与设备连接端子连接采用软连接。散开式终端接头要 满足如下条件: 1)安全净距、防污等级应符合DL/T5352和GB/T5582的规定: 2)母线终端表面材料耐漏电起痕性应达到1A3.5级,并应符合GB/T6553的规定: 3)当设备接线端子为铝合金材料而母线接线端子材料为铜时,需要采用铜铝过 渡。 b)插拔式终端,即母线接线端子与设备连接端子连接处为插拔可分离的全绝缘结构

7.2. 2 中间接头

母线中间接头应完成导体与绝缘的连接,满足如下要求: a)导体连接:中间接头的导体连接可采用软连接螺栓紧固、压接或焊接方式,导体连 接的最小截面应不小于所连接母线导体截面的1.2倍,且直流电阻应不大于与其长 度相同的母线导体的直流电阻。 D 绝缘连接:中间接头的绝缘连接装置宜采用预制式全绝缘连接,结构应与母线本体 的绝缘结构相同,包括导体屏蔽层、绝缘层、绝缘屏蔽层、金属屏蔽层及护层。挤 包式绝缘管型母线中间接头应采用应力锥、应力管或应力带等电应力疏散措施;真 空浸渍式与机械绕包式绝缘管型母线中间接头应与本体端部结构配合,设置相同层 数的电容屏复合绝缘

绝缘管型母线的分流或汇流应采用分支接头连接,包括导体连接和绝缘连接。应满足 7.2.2要求。

7.3.1绝缘管型母线的金属屏蔽层可采取分段接地或连通接地两种方式,每段或整体应 点接地,且在金属屏蔽层任一点处的正常感应电压,应符合满载情况下不大于24V的要求 7.3.2绝缘管型母线的金属构架及绝缘管型母线金属屏蔽层应独立引至主接地网可靠接 地。 7.3.3接地装置的规格和材质应与变电站主接地网一致,并符合GB/T50169的规定。 74附屋设施

7.4.1.1支架包括支撑绝缘管型母线的构架及母线固定金具。 7.4.1.2构架宜采用不锈钢材料或铝合金型材,户内宜采用镀锌钢材料。现场施工金属焊 接处应作防腐处理,采用镀锌钢材料时,支架设计不得对母线单相或两相形成闭环。 7.4.1.3固定金具应采用非导磁性材料。

绝缘管型母线穿过墙面或楼板应设置穿墙封板,穿墙封板应采用非导磁性材料。穿墙封 板宜由厂家配套提供。

D/GDW11646201

3.1.1按一般商业原则对本标准所含的一种类型的绝缘管型母线及其附件在供货之前,必 预进行型式试验,以证明绝缘管型母线及其附件具有能满足预期使用条件的良好性能。 3.1.2型式试验应由具有资质的第三方进行,并提供有效的型式试验报告。绝缘管型母线 及其附件因材料、设计或工艺的改变,可能改变绝缘管型母线及其附件的性能时,需要重新 进行型式试验。

8.1.3某一特定电压等级的绝缘

a)12kV的可以覆盖7.2kV的,额定电流大的覆盖小的; 18kV的可以覆盖12kV的,额定电流大的覆盖小的; C 24kV的可以覆盖18kV的,额定电流大的覆盖小的; d 40.5kV的需要单独进行型式试验,额定电流大的覆盖小的。 8.1.4 型式试验包括电气型式试验和非电气型式试验,具体要求如下: a 对于电气型式试验,试验对象应为绝缘管型母线系统。该系统包含:至少一段直线 段绝缘管型母线,一段具有90°弯的绝缘管型母线,中间接头,终端,以及为了 构成回路而需要的软连接,整个系统(两个终端之间)的回路长度不小于8m。导 电管接高压,每段绝缘管型母线和中间接头的金属屏蔽层接地。 b 对于非电气型式试验,试验对象应为绝缘管型母线本体,应在完成电气型式试验的 样品上取样进行。

8. 2 电气型式试验

绝缘管型母线系统的电气型式试验顺序如下: a) 工频耐压试验(干态): b) 工频耐压试验(湿态): c) 局部放电试验; d) tano测量: e) 热循环试验及随后的局部放电试验: f 雷电冲击电压试验及随后的工频电压试验: g) 短时耐受电流和峰值耐受电流试验及随后的局部放电试验; h) 温升试验; i)试品解体检查

8.2.2工频耐压试验(千态)

工频耐压试验(干态)要求如下: a)除非另有规定,试验应在环境温度(20土5)℃下进行,试验电压值及时间见表2; b)试验电压应施加在导体与金属屏蔽之间,在任何情况下,电压应逐渐升高到规定值; c)绝缘应无击穿、无闪络

8.2.3工频耐压试验(湿态)

在导体和金属屏 蔽之间施加工频试验电压, 生击穿或闪络

Q/GDW116462016

8.2.4局部放电试验

局部放电试验要求如下: a)试验方法应符合GB/T7354的规定,电压施加于导体和金属屏蔽之间,试验灵敏度 应为10pC或更优,试验电压应逐渐升高到工频耐受电压值并保持1min,然后缓慢 降到U; b)在U,电压下,应无任何由被试品产生的超过声明试验灵敏度的可检测到的放电

8.2. 5tan 5测量

表3tan的最大允许值

8.2.6热循环试验及随后的局部放电试验

热循环试验及随后的局部放电试验要求如下: a 在导体上通以电流加热试品,直至导体温度超过绝缘管型母线正常运行时导体最高 温度5K到10K: 40.5kV母线,至少加热8h,每个加热期间导体温度应在上述温度范围内至少保持 2h,随后应在空气中自然冷却至少16h,此为一个循环:40.5kV以下母线每个加热 循环应至少持续8h,期间导体在达到规定温度后至少应维持2h,在空气中自然冷 却至少3h,使导体温度冷却到环境温度以上10K或30℃以下(两者取较高值)。 热循环应重复20次: )第20次循环后,试样应进行局部放电试验,并应符合8.2.4的要求。

8.2.7雷电冲击电压试验及随后的工频耐压试验

雷电冲击电压试验及随后的工频耐压试验要求如下: a) 雷电冲击电压试验应符合GB/T16927.1的规定,其电压峰值见表2,正负极性各 10次: b 绝缘管型母线系统应耐受10次正极性和10次负极性冲击电压而不击穿或闪络: C 在雷电冲击电压试验后,在室温下进行工频耐压试验(干态),试验电压及时间见 表2,试品应不发生击穿或闪络

8.2.8短时耐受电流及峰值耐受电流试验及随后的局部放电试验

短时耐受电流及峰值耐受电流试验及随后的局部放电试验要求如下: a) 短时耐受电流及峰值耐受电流试验应对母线本体、中间接头、终端所组成的绝缘管 型母线系统进行,试验方法应符合GB/T11022的规定; b) 短时耐受电流及峰值耐受电流试验完成后,应进行局部放电试验,并应符合8.2.4 的要求。

Q/GDW 116462016

温升试验要求如下: a) 温升试验应符合GB/T11022的规定,试验需对绝缘管型母线系统中的直线段、中 间接头、弯曲段进行温度测试; 在进行温升试验之前,需测试点应包括母线的导体及环境温度,导体测温点距离端 部至少保持1.5m; ) 试验应通以额定电流足够长时间,待导体温度稳定后,记录温度值,要求导体温升 值不超过50K,且导体温度测算到40℃环境温度时不超过90℃

8.2.10试品解体检查

试品解体检查要求如下: a)直线段、弯管段、中间接头及终端采用径向切片制样方式,各部位切片均不少于1 片; b) 采取适当的方法,对绝缘管型母线本体的结构尺寸进行测试,应符合下述要求: 1) 绝缘最小测量厚度应不小于产品描述厚度的90%,绝缘偏心度应不大于10%; 2) 外护套最小测量厚度应不小于产品描述厚度的85%; 3) 金属屏蔽最小测量厚度应不小于产品描述厚度的90%; 导体外径及壁厚尺寸应符合产品描述以及GB/T19850的规定: 5 绝缘成型工艺方式应符合产品描述要求。

8.3.1绝缘层机械性能试验

对于聚四氟乙烯、聚酯薄膜绝缘材料,试验应符合GB/T13542.2的规定,试验结果应符 合附录要求。

对于乙内橡股、性像股、 老化处理应符合GB/T2951.12的规定 KA要求

8.3.3绝缘层热延伸试验

对于乙内橡股、硅橡胶绝缘材料: 取样和制备试片应符合GB/T2951.11的规定,试验结 果应符合附录A的要求

8.3.4外护层老化前后机械性能试验

绝缘管型母线的非金属外护层老化前后的抗张强度和断裂伸长率试验应符合GB/T 2951.11和GB/T2951.12的规定,试验结果符合附录A的要求,

应对所有制造长度的绝缘管型母线及其附件上进行下列试验以检验每根绝缘管型母线 和每个附件是否符合要求。

Q/GDW116462016

Q/GDW116462016

外观检查要求如下: a)绝缘管型母线、附件结构尺寸应符合图纸要求; b)无影响绝缘管型母线运行性能的表面缺陷和损伤; c)绝缘管型母线的所有金属裸露部件应无毛刺、尖角、开裂,并有镀锡层和防护层。 9.3工频耐压试验(干态) 要求见8.2.2。 9.4局部放电试验 要求见8.2.4。 9.5tan8测量 要求见8.2.5。

9.3工频耐压试验(王

10.2主绝缘绝缘电阻测量

主绝缘绝缘电阻测量要求如下: a)绝缘管型母线主绝缘电阻测量应采用2500V及以上电压的兆欧表: b)耐压试验前后,绝缘电阻应无明显变化

10.3主绝缘交流耐压及局部放电试验

应分别测量并记录各相整体电容量数值。

11标志、包装、运输、购存及供货范

标志、包装、运输、购存及供货范围

产品标准要求如下: a)产品名称、规格型号:

b) 额定电压(kV): c) 额定电流(A): d) 额定频率(Hz); 额定短时耐受电流(kA): e f) 额定峰值耐受电流(kA): g) 额定短路持续时间(s): h) 本体及附件主绝缘材料: i) 导体尺寸(管径×壁厚,mm) j) 出厂日期和编号; k) 制造厂名称或商标

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包装标芯 a) 生产企业名称、地址: b) 设备名称、型号: c) 设备数量: d)产品净重、毛重及体积等; e) 包装箱外面书写“防潮”、“小心轻放”、“不可倒置”等字样; f)执行的标准号

1.2.1产品的包装应能保证产品在运输过程中不遭到破环、变形、受潮和腐蚀,并适合储 子 11.2.2包装箱内应附有的文件包括:装箱清单(应详细标明配套设备的数量、型号、制造 二名、出厂编号)、产品合格证、安装使用 试验报告、安装时必须的技术资料。

11.3.1产品应适用于陆运、空运、水(海)运,并按运输装卸包装箱上的标准进行操价

11.3.1产品应适用于陆运、空运、水(海)运,并按运输装卸包装箱上的标准进行操作。 11.3.2产品在运输过程中应采取防雨、防潮、防止激烈碰撞措施,确保装置性能和质量不 受影响。

供货设备至少应包括连接两端用电设备的绝缘管型母线本体及附件、附属设施、备品备 件、专用工具等。实际供货范围由供需双方具体商定

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绝缘及非金属外护层材料的性能试验要求

附录A (规范性附录) 绝缘及非金属外护层材料的性能试验要求

附录A (规范性附录) 绝缘及非金属外护层材料的性能试验要求

表A.1绝缘及非金属外护层材料的性能试验要求

SC/T 7219.6-2015 三代虫病诊断规程 第6部分:小林三代虫病Q/GDW116462016

Q/GDW116462016

本绝缘结构的成型工艺方式。真空浸渍式绝 结构,从内到外分别为导体、导体屏蔽层、绝缘层、 绝缘屏蔽层、金属屏蔽层,外护层。外 层分为环氧树脂浸渍纸保护层和护套层 有金属屏蔽层,

挤包式是采用挤包机将乙丙橡胶或硅橡胶连续挤出、加热硫化的成型工艺方式。挤包式 绝缘管型母线本体绝缘结构从内到外分别为导体、导体屏蔽层、绝缘层、绝缘屏蔽层、金属 屏蔽层,外护层。

GB 4789.14-2014 食品安全国家标准 食品微生物学检验 蜡样芽胞杆菌检验Q/GDW116462016

四氟乙烯薄膜,主绝缘结构为多层电容屏复合绝缘,根据不同电压等级设置电容屏层数。其 本体结构为:导体→导体屏蔽层→绝缘层→绝缘屏蔽层→绝缘层→绝缘屏蔽层......末层绝 缘屏蔽层→末层绝缘压层→金属屏蔽层(与末层绝缘屏蔽层等电位连接)→末层绝缘保护层 +外护层。依据电容屏均压原理,端部采用变屏距均压设计

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