标准规范下载简介：
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T∕CEMIA 004-2018 光伏单晶硅生长用石英坩埚.pdf将埚端口及相同弧度的标准卡板开口朝下，卡板中心点对准埚外表面底部中心处（图1所示 W；位置），使用分度值不大于0.5mm的直尺，分别测量标准卡板与埚外表面半径为r的圆弧和半径 为R的圆弧弧度范围内的最大间距，即为埚的弧度间隙
6.1.5透明层厚度公差
将璃端口朝上或朝水平方向置于检测平台上（端口朝上时测量图1所示W，、W：位置，端口朝水 平方向时测量图1所示W，、W2、W，位置），放置石英砂于内表面待测位置作为参照物，采用透明层 则厚仪对准石英砂进行对焦，焦点即为透明层零点，此时将测厚仪读数归零。旋转镜头向透明层内调 在图1所示W，、W、W V：、W：位置测量透明层厚度，每个位置测 的两个点。最大透明层厚度与标称透明层厚度 之差为透明层厚度上偏差，最小透明层厚度
缺陷尺寸采用分度值不大于0.02mm的游标卡尺进行测量。必要时在带刻度的显微镜下进行测量
在显微镜下测量微气泡。镜头放大倍数为100倍，光照强度为10001m，石英埚为干燥状态。测 量步骤如下： 如图1所示，分别选择W，、W处对称的两点和W，处作为测量点，共计5个测量点； 将镜头对准一个测量点，进行对焦，完成对焦的测量点为零点； C） 旋转镜头向透明层内探测，分别在0.1mm、0.5mm、1.0mm、1.5mm、2.0mm深度处拍摄 图片； d 重复b）、c)的操作，完成其他测量点的拍照； e） 计算每张图片中的气泡数量GB 50256-2014 电气装置安装工程 起重机电气装置施工及验收规范，选择气泡数量最多的图片并按式（1）计算石英埚的微气泡 密度
在显微镜下测量微气泡。镜头放大倍数为100倍，光照强度为10001m，石英埚为干燥状态。测 步骤如下： 如图1所示，分别选择W，、W处对称的两点和W，处作为测量点，共计5个测量点； 将镜头对准一个测量点，进行对焦，完成对焦的测量点为零点； 旋转镜头向透明层内探测，分别在0.1mm、0.5mm、1.0mm、1.5mm、2.0mm深度处拍摄 图片； 重复b）、c)的操作，完成其他测量点的拍照； 计算每张图片中的气泡数量，选择气泡数量最多的图片并按式（1)计算石英埚的微气泡 密度。
0 微气泡密度，单位为个每平方毫米（个/mm²）； A一—气泡数量最多的图片中的气泡数量，单位为个； 与A对应的面积之和，单位为平方毫米（mm²）
从石英直壁上切取50mmX50mm原壁厚试样3块，试样切口处用碳化硅（W10）磨平 有缺口及崩口。用10%～15%分析纯盐酸浸泡试样10min，然后分别用去离子水、无水乙醇清深 脂棉擦净，操作过程中不得直接触摸样品。将试样于1500℃士10℃下恒温6h，冷却至室温
从石英埚直壁上纵向切取180mm×20mm原壁厚试样3块，样品处理方法按6.5的规定。将 式样水平置于跨距为130mm的耐热支架上，在样品中部放置2g士0.2g（直径为15mm~20mm，长 度为15mm～20mm）的石英半管，并使试样与石英半管接触面积最小。放入高温炉中，于1500℃士 10℃下恒温1h，在高温炉中自然冷却至室温后取出试样。测量试样的拱高变化值△H，并按式（2)计 算高温变形率
高温变形率； AH 试样的拱高变化值，单位为毫米（mm）
险验、型式检验的项目技术要求及其试验方法应
GJB 1816A-2008 鱼雷内测装置通用规范表5检验项目技术要求及试验方法
T/CEMIA004—2018
以同批原料、相同工艺生产的同种规格的甘据为一批
7.4.3.2不合格处理
标志、包装、运输、储存
GB/T 26286-2010 电解用异型导电铜板每个包装霜外应标明"防潮”“朝上”“小心轻放/易碎”等字样及堆码层数或图形标识以及产品名和 品标记、生产日期、厂名或商标。
闭石英埚端口，然后放入抗静电塑料袋 MiF
运输工具的选择应保证产品安全、质量不受影响。产品装、卸、运过程中应防潮、轻拿轻放、 业撞。