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GB／T 40577-2021 集成电路制造设备术语.pdf

坐标刻图机coordinatograph 早期的一种利用数字化仪控制进行掩模原图刻划的设备。即利用在平台表面作两维运动，相对直 角坐标轴准确定位的刻刀，对置于台面上的红膜按设计数据刻线，并经人工剥膜，以形成适当放大倍率 的集成电路原图的装置。 5.2 数字化仪digitizer 从集成电路平面设计图上读取反映图形特征点的坐标值（如顶点坐标），并将其转化为刻图机或其 他制图设备可识别的适当格式的图形数据处理装置。 5.3 自动制图机automaticdrafter 在计算机控制下，直接按照输人的图形数据，在涂覆漆膜或者红膜的透明基片上以刻膜、剥膜方式 制作放大的集成电路原图，或以彩色笔绘图方式在图纸上绘制放大的体现各层图形之间套刻关系的 装置。

GB/T40577—2021

光学图形发生器opticalpatterngene

一种利用计算机辅助制造掩模图形的光学曝光设备。在计算机控制下，利用可变机械狭缝（或固 形模块)光阑，通过具有特定缩小倍率（通常25倍缩小）的透镜成像系统，利用闪光灯（或汞灯与快 合）和工件台移动协调动作，把计算机输人的集成电路数据按顺序曝光，在工作台的感光板上拼接 整集成电路中间掩模

QB/T 4383-2012 陶粒滤料激光图形发生器laserpatterngenerator

利用聚焦激光光束，由计算机控制，按照输人的图形信息直接在涂覆有光敏材料的基片上曝光出 图形的光学掩模制造设备。又称为“激光直写系统”。 注：激光图形发生器属于无掩模光刻设备

采用数字微镜器件作为“数字掩模”，取代传统的投影光刻机的中间掩模版，通过透镜微缩，把数字 微镜器件中的每一个近十微米级的镜片反射光缩小到亚微米级光斑，直接投影到基片的光学掩模制造 设备

5.6.3 电子束掩模制造系统electronbeammaskmanufacturingsystem 利用计算机控制的聚焦电子束进行光栅扫描或矢量扫描，直接在涂覆有光敏材料的基片上曝光出 掩模图形的掩模制造设备， 注：又称为“电子束图形发生器”

利用计算机控制的聚焦电子束进行光栅扫描或矢量扫描，直接在涂覆有光敏材料的基片 掩模图形的掩模制造设备。 注：又称为电子束图形发生器”。

一种可变束斑的电子束曝光系统。利用电子光学系统中的静电偏转电极将可移动的第一光阑

掩模图形转印在圆片光刻胶层的光学曝光设备。 注，又称为"远紫外掀模对准机”

极紫外光刻机extremeultravioletmaskaligner 采用波长范围10nm14nm的极紫外光作为曝光光源，通过步进扫描方式将掩模图形 片光刻胶层的光学曝光设备

准分子激光光刻机excimerlasermaskaligner 将准分子激光器产生的远紫外光作为曝光光源，通过接触/接近或投影曝光的方法，将掩 印在圆片光刻胶层的光学曝光设备

束斑的电子密度呈高斯分布的电子束光刻系统。

圆形束电子束光刻机circularelectronbeamlithographysystem 束斑的电子密度呈圆形截面的电子束光刻系统

高斯圆形束电子束光刻机Gaussianroundelectronbeamlithographysystem 束斑的电子密度呈高斯分布的圆形截面的电子束光刻系统。 .2.1.6 矢量扫描电子束光刻机vectorscanelectronbeamlithographysystem 采用矢量式扫描曝光的电子束曝光系统。 注：曝光过程中，由电子束按规定的子场宽度（如250nm)的尺寸对写场内的最接近起始点的图形单元开始进行连 续扫描填充式曝光，当一个单元图形扫描曝光完成后，电子束直接偏转到临近图形单元进行扫措填充式曝光， 整个写场图形组扫措曝光完成后，工件台移动到下一个写场的位置，继续进行久量扫描曝光，直至整个圆片图 形噪光完成

以镂空掩模作为光阑，把镂空掩模图形成像到圆片表面电子抗蚀剂膜上，实现电子束缩小 的设备。

电子束投影光刻系统的一种，用制备有系列基本图形元素的镂空模板代替电子光学柱中 控制系统选择其中一个或者几个在圆片表面电子抗蚀剂上曝光，如同字符可拼写出复杂图形 曝光设备。

将紫外光照射涂有光电发射材 莫所产生的光电子，经电场加速和磁场聚焦 投射到圆片光刻胶层上.使之 的面赚光设备

离子束光刻机ionbeamlithographysysten

利用计算机输人的地址和图形数据控制聚焦离子束直接在圆片光刻胶层直接绘制电路图 设备。 注：又称为"离子束直写系统”

掩蔽离子束光刻机maskedionbeamlithographysysten 用准直离子束穿过与圆片接近的镂空金属箔掩模，对圆片光刻胶层进行曝光，以形成微结 像的曝光设备。

离子束投影光刻机ionbeamprojectionlithographysystem 利用整形后的聚焦离子束，将透过镂空中间掩模的图形缩小投影在圆片上，通过工件台的 片上分步重复成像，使光刻胶层产生掩模图形潜象的离子束曝光设备，

在计算机控制下，通过工作台运动和静电偏转，使聚焦离子束在偏转场内按输入图形数据对圆 胶层进行分区扫描曝光的设备。

利用计算机输人的地址和图形数据控制激光光束直接在圆片光刻胶层直接绘制电路图形的曝光 设备。 6.1.3 双面光刻机doublesidelithographysystem 可同时在圆片两面涂覆的光刻胶层绘制电路图形信息的曝光设备。 6.1.4 纳米压印设备nanoimprintequipment 利用纳米图形掩模使圆片上的聚合物涂层变形，然后采用特定方式使聚合物涂层固化，从而完成图 形转印的设备。 6.2 涂胶显影设备coatingandresistdevelopingequipment 在光刻工艺过程中，与光刻机配套使用，自动完成涂胶、显影及烘烤等工艺的一体化处理系统。 6.2.1 涂胶设备coatingequipment 在圆片表面均匀涂覆光刻胶或其他胶质液体的工艺设备。 注：又称为“匀胶机”。 6.2.1.1 旋转式涂覆设备spincoatingequipment 在高速旋转下，利用离心力和液体表面张力使光刻胶或其他胶质液体均匀地涂覆在圆片上的工艺 设备。 6.2.1.2 喷雾式涂覆设备sprayingcoatingequipment 通过超声波使光刻胶或其他胶质液体雾化为微小颗粒并以一定的压力通过喷嘴喷出，在基片表面 形成均匀的胶液层，通过相应处理，以实现在基片表面形成均匀胶膜的工艺设备。 6.2.2 显影机resistdevelopingsystem 用显影液对圆片上曝光形成的光致抗蚀图形潜象进行化学处理，除去可溶解材料，使曝光图形固化 的设备。 6.2.2.1 超声显影机ultrasonicresistdevelopingsystem 利用超声波振荡产生的作用力，使显影液空化和乳化，对曝光后的圆片完成显影的设备。 6.2.3 烘干炉bakingfurnace 通过红外线或其他加热方法，对擦片、涂胶、显影后的圆片进行烘干或坚膜处理的加热炉。 6.3 刻蚀设备etchingequipment 利用腐蚀媒质对显影后圆片未被抗蚀层遮蔽的区域进行刻蚀，除去不需要的材料，形成所需图形的 设备。 注：分为法刻蚀设备和湿法腾蚀设备

湿法腐蚀机wetetcher 使用液态的化学刻蚀剂与圆片上未被抗蚀剂遮蔽区域的材料发生反应，除去不需要材料，形成所需 图形的设备。 6.3.1.1 槽式腐蚀机benchtypeetcher 将圆片置于化学药液槽体中完成刻蚀的设备。 6.3.1.2 单片湿法腐蚀机singlewaferwetetcher 利用化学药液对圆片逐个刻蚀，以去除硅、氧化硅、氮化硅及金属膜层的设备 注：又称为“单片刻蚀机”。 6.3.1.3 喷射腐蚀机sprayetcher 将腐蚀液以辐射状喷向处于水平放置的旋转圆片表面，以完成刻蚀的湿法刻蚀设备。 6.3.1.4 带式喷射腐蚀机beltingsprayetcher 将腐蚀液喷射到由传送带载动的圆片表面，以完成刻蚀的湿法刻蚀设备。 6.3.2 干法刻蚀机dryetcher 以化学反应等离子体、荷能离子或离子束作为腐蚀媒质，对显影后基片未被抗蚀层遮蔽的区域进行 刻蚀，除去不需要的材料，形成所需图形的设备。 6.3.2.1 等离子体刻蚀机plasmaetcher 利用等离子体直接或间接地产生刻蚀气体，使其与圆片上未被抗蚀层遮蔽区域的材料发生反应，以 完成刻蚀的设备。 6.3.2.1.1 电容耦合等离子体刻蚀机capacitivelycoupledplasmaetcher 由射频（或直流）电源通过电容耦合的方式在反应腔内产生等离子体并进行刻蚀的设备。 6.3.2.1.2 电感耦合等离子体刻蚀机inductivelycoupledplasmaetcher 将射频电源的能量经电感线圈，以磁场耦合的形式在反应腔内产生等离子体并进行刻蚀的设备。 6.3.2.1.3 电子回旋共振等离子体刻蚀机electroncyclotronresonanceplasmaetcher 利用电子在磁场中的回旋共振原理，在低气压条件下获取高浓度等离子体并进行刻蚀的设备。 6.3.2.1.4 螺旋波等离子体刻蚀机heliconwaveplasmaetcher 利用横向的电磁波与纵向的磁场发生耦合形成的螺旋波增强等离子体化学活性和增强等离子体密 度的等离子体刻蚀机。

由射频（或直流)电源通过电容耦合的方式在反应腔内产生等离子体并进行刻蚀的设备 6.3.2.1.2 电感耦合等离子体刻蚀机inductivelycoupledplasmaetcher 将射频电源的能量经电感线圈，以磁场耦合的形式在反应腔内产生等离子体并进行刻蚀的设备。 6.3.2.1.3 电子回旋共振等离子体刻蚀机electroncyclotronresonanceplasmaetcher 利用电子在磁场中的回旋共振原理，在低气压条件下获取高浓度等离子体并进行刻蚀的设备。 6.3.2.1.4 螺旋波等离子体刻蚀机heliconwaveplasmaetcher 利用横向的电磁波与纵向的磁场发生耦合形成的螺旋波增强等离子体化学活性和增强等离子体密 度的等离子体刻蚀机

通过低压气体放电，使垂直于圆桶式反应器轴线排列的圆片表面原子与等离子体中的活性基反

离子反应，进而完成刻蚀的设备。 6.3.2.1.6 隧道式等离子体刻蚀机tunnelplasmaetcher 内部设有法拉第罩的桶形等离子体刻蚀机。 6.3.2.1.7 平板型等离子体刻蚀机planartypeplasmaetcher 将射频能量加到一对平行平板电极上，对置于阴极的晶片进行等离子体刻蚀的设备。 6.3.2.1.8 表面波等离子体刻蚀机surfacewaveplasmaetcher 利用由微波形成的表面波获取等离子体并进行刻蚀的设备。 6.3.2.1.9 微波等离子体刻蚀机microwaveplasmaetcher 以特定频率的微波能激励反应室中的气体，产生等离子体，利用等离子体中的化学活性 蚀的设备。 6.3.2.1.9.1 自偏压微波等离子体刻蚀机microwaveplasmaetcherwithitselfbiasvoltage 利用加在载片台上的高频能量所产生的直流偏压，使材料既受由微波产生的等离子体 化学腐蚀，又受到自偏压加速离子的轰击腐蚀的微波等离子体刻蚀机。

离子反应，进而完成刻蚀的设备。 6.3.2.1.6 隧道式等离子体刻蚀机tunnelplasmaetcher 内部设有法拉第罩的桶形等离子体刻蚀机。 6.3.2.1.7 平板型等离子体刻蚀机planartypeplasmaetcher 将射频能量加到一对平行平板电极上，对置于阴极的晶片进行等离子体刻蚀的设备。 6.3.2.1.8 表面波等离子体刻蚀机surfacewaveplasmaetcher 利用由微波形成的表面波获取等离子体并进行刻蚀的设备。 6.3.2.1.9 微波等离子体刻蚀机microwaveplasmaetcher 以特定频率的微波能激励反应室中的气体，产生等离子体，利用等离子体中的化学活性离子进行刻 蚀的设备。 6.3.2.1.9.1 自偏压微波等离子体刻蚀机microwaveplasmaetcherwithitselfbiasvoltage 利用加在载片台上的高频能量所产生的直流偏压，使材料既受由微波产生的等离子体中活性基的 化学腐蚀，又受到自偏压加速离子的轰击腐蚀的微波等离子体刻蚀机

6.3.2.1.9.1

将高频能量加到作为反应器内壁的直筒六面体阴极上，使置于其上的基片既受等离子体中活性

GB/T 405772021

离子束刻蚀机ionbeametcher 利用等离子体产生的低能离子轰击圆片，通过物理溅射去除材料的刻蚀设备。 6.3.2.3.1 反应离子束刻蚀机 reactiveionbeam etcher 以化学反应性气体的荷能离子束轰击基片表面，使基片材料在受到溅射腐蚀的同时，又受到化学反 应腐蚀的刻蚀设备。 6.3.2.3.2 化学辅助离子束刻蚀机chemicalassistedionbeametcher 将能与基片材料起化学反应的气体直接送到离子束刻蚀机中的被刻蚀基片附近，使基片材料在受 到溅射腐蚀的同时文受到化学反应气体腐蚀的刻蚀设备。 6.3.2.3.3 微波反应离子束刻蚀机reactiveionbeametcherwithmicrowave 用以微波能量激励化学反应气体产生等离子体的离子源代替普通反应离子束刻蚀机中的离子源 （如考夫曼离子源）的刻蚀设备。 6.3.2.4 等离子刻蚀机plasmaetchingequipment 利用等离子体中的活性粒子及离子与被刻蚀材料表面发生化学反应去除材料的工艺设备。 6.3.2.5 原子层刻蚀机atomiclayeretcher 对被刻蚀材料以原子层级别逐层进行刻蚀的设备。 6.4 去胶机resist strippingequipment 在圆片完成刻蚀后，去除圆片表面作为阻挡层的光刻胶的设备。 6.4.1 湿法去胶机wetresiststrippingequipment 利用化学溶解作用，采用去胶液去除圆片表面作为阻挡层的光刻胶的设备。 6.4.2 等离子体去胶机plasmaresiststrippingequipment 利用氧气、氮气或氢气等离子体中的活性粒子，与光刻胶发生反应，使之分解并挥发的十法剥离 发

子束刻蚀机ionbeam

超临界态二氧化碳去胶机supercriticalcarbondioxideresiststrippingequipment 当二氧化碳处于超临界状态时具有极高的溶解能力，利用超临界二氧化碳去除光刻胶或 设备。

蒸气顶处理机steampreprocessingsystem

气对涂胶前的圆片进行化学脱水处理，以增强光势

扩散炉diffusionfurnace 利用热扩散原理，将掺杂元素渗人圆片内并使其具有特定浓度分布的工艺设备。 7.1.1 卧式扩散炉horizontaldiffusionfurnace 加热炉体、工艺炉管及承载晶片的晶舟（如石英舟、碳化硅舟等）均水平放置的扩散炉。 7.1.2 立式扩散炉 vertical diffusionfurnace 加热炉体、工艺炉管及承载晶片的晶舟（如石英舟、碳化硅舟等）均垂直放置的扩散炉。 7.1.3 双温区扩散炉doubletemperaturezonediffusionfurnace 有两个工作温度独立控制的恒温区的扩散炉。 7.2 离子注入机 ionimplanter 将掺杂物质以离子形式在电场中加速到一定能量，并通过掩膜注入圆片内，以形成特定深度、浓度 和导电类型的掺杂图形的设备。 注：离子注人机按束能量高低分为低能离子注人机、中能离子注人机、高能离子注人机和兆伏离子注人机；按着靶 束流大小分为小束流离子注人机、中束流离子注人机、强流离子注人机和超强流离子注人机。 7.2.1 低能离子注入机lowenergyionimplanter 束能量在100keV以下的离子注人机。 7.2.2 中能离子注入机mediumenergyionimplanter 束能量在100keV至300keV之间的离子注入机。 7.2.3 高能离子注入机highenergyionimplanter 束能量在300keV以上，1000keV及以下的离子注入机。 7.2.4 兆伏离子注入机megaelectronvoltionimplanter 束能量在1MeV以上的离子注人机。 7.2.5 小束流离子注入机lowcurrentionimplanter 着靶束流在100nA至100μA之间的离子注人机。 7.2.6 中束流离子注入机mediumcurrentionimplanter 着靶束流在100μA至2000uA之间的离子注人机。 7.2.7 强流离子注入机highcurrentionimplanter 着靶束流在2mA至30mA之间的离子注人机

超强流离子注入机superhighcurrentionimplanter 着靶束流在30mA以上的离子注人机。 7.2.9 氧离子注入机oxygenionimplanter 将氧离子高浓度地注入圆片内部，以形成二氧化硅绝缘层的强流离子注入机 7.2.10 卧式离子注入机horizontalionimplanter 整个光轴或质量分析器后的光轴部分沿水平方向放置的离子注人机。 7.2.11 立式离子注入机verticalionimplanter 整个光轴或质量分析器后的光轴部分沿垂直方向放置的离子注人机。 7.2.12 聚焦离子束注入机focusedbeamionimplanter 由场致发射离子源、聚焦透镜、质量分析器和离子束偏转系统等构成的，在电子计算机控制下以微 细聚焦离子束直接按输入图形数据，在圆片内制作掺杂图形的离子注入机。 7.3 电子束掺杂机electronbeamdopingsystem 利用聚焦高能电子束扫描轰击涂有掺杂剂层的圆片表面，对圆片指定区域进行扩散掺杂的设备。 7.4 激光掺杂机laserdopingsystem 利用高功率密度的脉冲激光束辐照涂有掺杂剂层的圆片表面，对圆片指定区域进行扩散掺杂的 设备。 7.5 退火炉annealingfurnace 圆片经过氧化、扩散、外延、离子注人、蒸发电极等工艺后，用于退火热处理以消除晶格缺陷和晶格 损伤的热处理设备。 7.5.1 卧式退火炉horizontalannealingfurnace 加热炉体、工艺炉管及承载圆片的晶舟（如石英舟、碳化硅舟等）均水平放置的退火炉。 7.5.2 立式退火炉 vertical annealingfurnace 加热炉体、工艺炉管及承载圆片的晶舟（如石英舟、碳化硅舟等）均垂直放置的退火炉。 7.5.3 快速退火炉 rapid thermal annealing furnace 一种能将圆片温度迅速上升到设定工艺温度并快速降温的退火设备。 注：快速退火炉升温或降温速率比常规退火炉快，反应室温度加热至高温（例如1100℃）仅需数秒时间。 7.5.4 常压退火炉atomosphericpressureannealingfurnace 石英管反应室气体为常压的退火炉。 7.5.5 负压退火炉lowpressureannealingfurnace 石英管反应室气体为负压（通常在1.01×10+Pa～1.01×10°Pa)的退火炉。

激光退火炉laserannealingfurnace 利用脉冲或连续波大功率激光束扫描的方法，使圆片表层瞬时加热，以实现再结晶的退火炉 7.5.7 电子束退火炉electronbeamannealingfurnace 利用高能量密度的聚焦电子束扫描轰击的方法，使圆片表层瞬时加热，以实现再结品的退火 7.5.8 离子束退火炉ionbeamannealingfurnace 利用大束流高能氢、氩离子束轰击的方法，使圆片表层瞬时加热，以实现再结晶的退火炉。 7.6 快速热处理设备rapidthermalprocessingequipment 以适当加热源对圆片等材料进行快速加热与冷却的短时高温处理，以完成快速退火、快速热 快速热氮化、快速热扩散、快速热化学气相淀积、解耦等离子体氮化以及金属硅化物生成、外延等 设备。 7.7 氧化炉oxidationfurnace 在中高温下通人特定气体，使圆片表面发生氧化反应，生成二氧化硅薄膜的热处理设备。 7.7.1 卧式氧化炉horizontaloxidationfurnace 加热炉体、工艺管反应室及承载圆片的晶舟（如石英舟、碳化硅舟等）均水平放置的氧化炉。 7.7.2 立式氧化炉verticaloxidationfurnace 加热炉体、工艺管反应室及承载圆片的晶舟（如石英舟、碳化硅舟等）均垂直放置的氧化炉。 7.7.3 常压氧化炉atomosphericpressureoxidationfurnace 石英管反应室内气体为常压的氧化炉。 7.7.4 高压氧化炉highpressureoxidationfurnace 在不锈钢管反应室内输入高压稀有气体和高压氧化气体，在高压下（通常在1.01×10°Pa 10°Pa）完成氧化工艺的氧化炉。 7.7.5 负压氧化炉lowpressureoxidationfurnace 石英管反应室气体为负压（通常在1.01×10*Pa～1.01×10°Pa）的氧化炉

物理气相淀积设备physicalvapordepositionequipment 利用热蒸发或受到粒子轰击时物质表面原子的溅射等物理过程，将物质原子从源物质转移至衬底 材料表面，并在衬底表面淀积形成均匀薄膜的工艺设备

在真空条件下，加热固体材料使其汽化或升华后凝结淀积到特定温度的衬底表面，形成均勾薄膜

电阻加热真空蒸镀设备resistanceheatingvacuumevaporator 利用电阻加热方式使源材料汽化或升华后淀积到衬底上形成均匀薄膜的真空蒸镀设备。 8.1.1.2 电子束真空蒸镀设备electronbeamvacuumevaporator 利用高能电子束轰击源材料，使之受热汽化或升华后淀积到衬底上形成均匀薄膜的真空蒸镀设备 8.1.1.3 高频感应加热真空蒸镀设备highfrequencyinductionheatingvacuumevaporator 利用高频感应加热，使源材料汽化或升华后淀积到衬底上形成均匀薄膜的真空蒸镀设备。 8.1.1.4 激光加热真空蒸镀设备laserheatingvacuumevaporator 将激光束聚焦在源材料上，使源材料受热汽化或升华后淀积到衬底上形成均匀薄膜的真空蒸镀 设备。

使源材料蒸发、电离形成离子束，并以低能离子束直接在衬底表面淀积形成均匀薄膜，或以低能聚 焦扫描离子束直接在衬底表面淀 直空镀膜设备

利用电场加速带电子升 与靶表面原子碰撞过程中，将靶表面原子溅射 出来并在衬底表面淀积形成均匀薄

直流物理气相淀积设备directcurrentphysicalvapordepositionequipment 靶材作为阴极，衬底作为阳极。在直流高压作用下，靶材与衬底之间的工艺气体（通常为氩气)电 成等离子体，等离子体在电场中加速后轰击靶材，使靶原子溅射出来并淀积到衬底上形成均匀薄膜 备。 注：又称为“真空直流二极溅射设备”阴极溅射设备”

射频物理气相淀积设备radiofrequencyphysicalvapordepositionequipmen 采用射频电源作为激励源，可以溅射导体和非导体靶材，并在衬底上淀积形成均匀薄膜的物理气 积设备。

在靶材（阴极）背面安置磁体，磁体与直流电源（或交流电源）系统形成磁控溅射源的物理 设备。 注：又称为“磁控物理气相淀积设备”

极溅射淀积设备triodesputteringdepositionequ

在二极溅射系统中增加一个电极，控制靶和衬底之间的阻抗，使溅射在较低电压下发生的溅射淀积 设备

利用溅射薄膜对杂质气体具有极强吸附作用的特性，先向无需溅射薄膜的衬底周围区域溅射适当 材料的薄膜，使之吸附杂质气体，净化溅射气体，然后再对衬底溅射淀积所需材料，以制备纯净薄膜的溅 射淀积设备。

在阴、阳二电极之间加有正负大小不同的交流电压，以使杂质气体原子从淀积薄膜中逸出的纯净薄 膜射频二极溅射淀积设备

等离子体溅射淀积设备plasmasputteringdepositionequipmen

等离子体溅射淀积设备plasmasputteringdepositionequipmen!

用热阴极发射的电子或高频激励等方法使低压情性气体放电，形成等离子体的低压、低能、高离子 电流溅射设备

反应溅射淀积设备reactivesputteringdepositionequipment

用荷能氩离子束轰击源材料靶的同时，将反应气体添加到衬底附近，或直接用含有反应离子和氩

子的荷能离子束轰击源材料靶，以在衬底表面淀积源材料反应物薄膜的溅射淀积设备。 8.1.2.11 离子化物理气相淀积设备ionizedphysicalvapordepositionequipment 将从靶材上溅射出来的金属原子通过不同方式使之等离子化，通过调整加载在衬底上的偏压，控制 金属离子的方向与能量，以形成均匀薄膜的溅射淀积设备。 8.2 化学气相淀积设备chemicalvapordeposition（CVD）equipment 通过混合化学气体并发生化学反应，从而在衬底表面淀积薄膜的工艺设备。 8.2.1 常压化学气相淀积设备atmosphericpressurechemicalvapordeposition（APCVD）equipment 在反应气体压力接近大气压力的条件下，将气态反应源匀速喷射至加热的固体衬底表面，使反应源 在衬底表面发生化学反应，反应物在衬底表面淀积形成薄膜的设备。 8.2.2 低压化学气相淀积设备lowpressurechemicalvapordeposition（LPCVD）equipment 在加热和反应气体压力处于7.6Pa～760Pa的条件下GB 13122-2016 食品安全国家标准 谷物加工卫生规范，利用气态原料在衬底表面发生化学反应，反

气态前驱物在等离子体作用下发生离子化，形成激发态的活性基团，活性基团扩散到衬底表面并 化学反应，反应物在衬底表面淀积形成薄膜的设备

等离子体增强金属化学气相淀积设备plasmaenhancedmetalchemicalvapordepositionequipmen 通过等离子体离子化分解前驱物与加热结合激发化学反应，实现低温低杂质的金属薄膜淀积的 设备

原子层淀积设备atomiclayerdeposition（ALD）equipment 通过稀有气体的吹扫隔离交替通过衬底表面的两种（或多种)前驱物，使得前驱物仅在衬底表面通 过化学吸附发生反应，以准单原子层形式周期性生长，从而在衬底上实现薄膜淀积的设备。 8.2.7 光化学气相淀积设备photochemicalvapordepositionequipment 利用适当波长的光辐照对特定反应气体的光分解、光敏化反应或热分解作用，实现薄膜生长的化学 气相淀积设备

原子层淀积设备atomiclayerdeposition（ALD）equipment 通过稀有气体的吹扫隔离交替通过衬底表面的两种（或多种)前驱物，使得前驱物仅在衬底表面通 过化学吸附发生反应，以准单原子层形式周期性生长GB/T 28372-2012 铁合金 取样和制样总则，从而在衬底上实现薄膜淀积的设备。 8.2.7 光化学气相淀积设备photochemicalvapordepositionequipment 利用适当波长的光辐照对特定反应气体的光分解、光敏化反应或热分解作用，实现薄膜生长的化学 气相淀积设备

电子回旋共振等离子化学气相淀积设备electroncyclotronresonanceCVDequipment

将特定频率微波通过波导管引人等离子共振腔，共振腔由磁场线圈环绕，微波能量被吸收，产生 回旋共振，气体大量电离，产生很高的等离子体浓度，进而在衬底上实现薄膜生长的化学气相淀 备。