GB/T 39278-2020 0.1m~2m屏蔽壳体屏蔽效能的测量方法.pdf

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GB/T 39278-2020 0.1m~2m屏蔽壳体屏蔽效能的测量方法.pdf

式中: f——适用频率范围内的最高频率,单位为赫兹(Hz); 真空中的光速为3×10",单位为米每秒(m/s); 屏蔽壳体的最大边长尺寸,单位为米(m)。

式中: f——适用频率范围内的最高频率,单位为赫兹(Hz); 真空中的光速为3×10",单位为米每秒(m/s); 屏蔽壳体的最大边长尺寸,单位为米(m)。

6.49kHz~30MHz频段测量

GB/T 39278—2020

QQLT 0004S-2015 山东秦老太食品有限公司 藕粉本标准使用带有静电屏蔽的环天线 采用共面环天线法进行屏蔽效能测量。在进行高磁导率销 屏蔽壳体的屏蔽效能测量前应考虑其非线性特性。 参见附录F

6.4.2测量频率范围及频率点

推荐在9kHz~16kHz、140kHz~160kHz和14MHz~30MHz频段各选取至少一个频率点进 行测量。具体的测量频率点应由屏蔽壳体的所有者决定。 14MHz~30MHz频段是最易发现屏蔽缺陷的测量频段 当测量频率向下扩展到50Hz,小环天线法同样适用。在较低的频率进行测量时,需要采用特殊的 设备获得足够的动态范围。例如:增加接收环天线和(或)发射环天线的匝数。

测量所用设备如下: a)信号发生器,产生测量频率范围内的非调制正弦信号; b)功率放大器,用于将信号发生器输出的信号放大,当信号发生器的输出满足动态范围要求时无 需使用; 发射环天线,直径0.3m,应带有静电屏蔽; d)接收环天线,直径为0.3m或更小,应带有静电屏蔽; e 阻抗匹配装置,用于发射环大线和功率放天器之间的阻抗匹配,当功率放天器和发射环大线阻 抗匹配时无需使用; 频谱分析仪或场强检测仪,用于测量接收天线的输出信号; g) 衰减器,用于衰减接收天线和频谱分析仪或场强检测仪之间的功率电平(需要时使用)

6.4.4参考场强测量

在无屏蔽壳体的状态下,接收环天线与发射环天线之间的距离为两者的直径之和加屏蔽壳体壁厚, 同时使两天线在同一平面(共面)。发射环天线激励产生一个非调制正弦波磁场,此时接收环天线测得 的场强即为参考场强(H,)

6.4.5屏蔽效能测量

发射环天线距离屏蔽壳体壁面0.3m,接收环天线与屏蔽壳体壁面之间的距离是接收环天线的直 径,发射环天线和接收环天线共面布置。接收环天线直径等于发射环天线直径的测量布置如图2所示, 如果除接收环天线以外的测量设备和人员无法进人被测屏蔽壳体,可用屏蔽同轴电缆和连接器将接收 环大线获得的信号电平引出到被测屏蔽壳体外进行测量。对于尺寸较小的屏蔽壳体,应采用直径较小 的接收环天线,接收环天线的直径应不大于屏蔽壳体尺寸的1/3,测量时接收环天线布置在屏蔽壳体中 心。发射环天线与接收环天线应共面并垂直于壁面、顶面或者其他待测面。 屏蔽效能测量时发射环天线的输人信号和参考测量时相同。发射环天线固定不动,接收环天线应 与发射环天线共面,并相对于共面的位置缓慢移动,向两侧各移动至少接缝长度的1/4,以查找屏蔽效

GB/T39278—2020

天线的激励源应为非调制连续波形信号。在任何布置情况下都应考虑天线馈线的影响。例如,当 使用偶极子天线时,天线馈线应至少沿与天线轴向垂直的方向走线一个波长的长度。 为了获得所需的动态范围,可能需要用到功率放大器。应避免人员暴露在有害电磁场中,人员所处 区域的电磁环境应符合GB8702的规定

6.5.6接收天线布置

在1GHz以下的频率,在被测屏蔽壳体尺寸允许时,天线馈线应至少沿与天线轴向垂直的方向走 线1m的长度。对于尺寸较小的被测屏蔽壳体,天线应布置在屏蔽壳体的中心,天线馈线应与天线轴 向垂直走线并用绝缘胶带固定在靠近的壁面上。 在超过1GHz的频率,天线的尺寸不应超过该腔体相关尺寸的1/3。对于尺寸较小的屏蔽壳体,天 线应布置在屏蔽壳体的中心位置

6.5.8参考电平的测量

6.5.8.130MHz~1GHz参考电平的测量

在被测屏蔽壳体所处典型设施内进行参考电平测量,偶极子天线的布置如图10所示,其中图10a) 为俯视图,图10b)为主视图。如果测量设备和人员无法进人被测屏蔽壳体,则参考电平测量也可在开 固场地进行。采用其他天线时的参考电平测量方法与此相同。发射和接收天线均布置在屏蔽壳体外 天线之间的距离应不小于2m。如果因测量现场空间尺寸所限天线间距无法达到2m的要求,则应保 止大线间距不能小于1m,同时需要在测试报告中注明实际间距。 除非电缆紧邻屏蔽壳体,否则接收天线的连接电缆应至少沿与天线轴向垂直的方向走线1m的长 度。该电缆应通过屏蔽壁上的穿墙式同轴连接器引人屏蔽壳体。如果没有这种连接器,也可将门微开, 让线缆从门缝通过。此时应通过检查确认直接耦合不会对测量结果造成影响。具体操作是采用模拟负 载替代接收天线,并观察接收到的信号,保证所有信号应比参考电平低10dB以上。 对于在屏蔽壳体谐振频率范围以上的测量:当大线为水平极化时,接收大线应当在垂直方向上下各 移动屏蔽壳体高度h的1/4,并且应在朝向和离开发射源的方向上各移动入/4。当天线为垂直极化时, 妾收天线应至少左右各横向移动屏蔽壳体被测屏蔽壁宽度的1/4,并应在朝向和离开发射源的方向上 各移动入/4。将记录的最大读数作为参考电平值

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这一问题,采用基于频率搅拌技 寸电大屏蔽壳体的屏蔽效能测 量,将被测屏蔽壳体作为小混派 嵌套混波室

测量所用设备如下: a)矢量网络分析仪,测量微波网络的幅值和相位; b) 发射天线,使用偶极子天线、对数周期天线、喇叭天线等阻抗匹配良好的线极化天线; C 接收大线,被测屏蔽壳体内部的接收大线为电小单极子大线。被测屏蔽壳体外部的接收大线 通常是阻抗匹配良好的天线,即与发射天线相同,也可以是电小单极子天线; d)同轴电缆,使用射频同轴电缆,宜采用屏蔽效能足够高的同轴电缆,如双层屏蔽同轴电缆

在使用混波室之前,应依据GB/T17626.21对所使用的混波室进行场均匀性确认,并确认测量动 态范围和被测屏蔽壳体的最低可测频率

测量频率点应由屏蔽壳体所有者确定,测量频率点应大于被测屏蔽壳体使用嵌套混波室测量方法 时的最低适用频率,

7.5频率搅拌测量原理

对于任意一个屏蔽壳体,屏蔽效能的基本计算见式(4):

SE 一屏蔽壳体的屏蔽效能,单位为分贝(dB); 一一屏蔽壳体外的天线所接收到的平均功率,单位为瓦(W);

7.6频率搅拌带宽的选取准则

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第一个准则是最小允许BW。在BW内的模式数应远大于1,以保证在所选择的平均带宽内存在 足够多的独立频率采样点。为此,BW应满足式(5):

式中: BW 频率搅拌带宽,单位为赫兹(Hz); 真空中的光速为3×10°,单位为米每秒(m/s); V一被测屏蔽壳体的容积,单位为立方米(m); f一一中心频率,单位为赫兹(Hz) 此处假设BW略大于Q值带宽f/Q,f是频率,Q是屏蔽壳体的品质因数。对于高Q值的屏蔽壳 体,BW通常大于f/Q。 第二个准则与外部混波室有关。在确定最大允许BW时需要注意两个问题。第一个问题与被测 屏蔽壳体的屏蔽性能有关,BW过大,被测屏蔽壳体实际的谐振响应将被平滑。第二个问题与外部混波 室有关,BW过大导致外部混波室的Q值在BW内变化剧烈时,频率搅拌的方法将不适用

7.7被测屏蔽壳体内的接收天线

采用单极子天线作为被测屏蔽壳体内接收天线。屏蔽效能测量结果与所用单极子天线的尺寸无 关。当单极子天线太长时,它可能与屏蔽壳体的其他壁面(不安装单极子天线的壁面)相互影响, 被测屏蔽壳体内单极子天线的安装应遵循以下要求: a)单极子天线不应安装在屏蔽壳体拐角附近; b)尽量避免将天线安装在孔缝附近

7.8外部混波室内的天线

对外部混波室内的天线应使用在所关心的频率范围内匹配良好的天线,同时还需考虑外部混波室 的尺寸。由于式(6)中的失配修正项对阻抗失配进行了补偿,见附录J,因此,也可用安装在外部混波室 壁面上的单极子天线测量外部混波室内的功率电平。即使外部混波室使用与被测屏蔽壳体内相同的单 极子天线,式(6)中的阻抗失配修正项仍是需要的。对于外部混波室中的发射天线,采用在所关心的频 率范围内匹配良好的天线

嵌套混波室法屏蔽壳体屏蔽效能的测量布置如图14所示。被测屏蔽壳体内外的功率电平的比值 应在外部混波室内注人功率相同的条件下进行测量。为了激励外部混波室以及测量被测屏蔽壳体内部 和外部的功率电平,采用三副天线进行测量,如图14中的发射天线、参考天线和接收天线。 发射天线放置在外部混波室内,用于激励外部混波室。天线所连接电缆的另一端连接到外部混波 室壁面上的接口板 参考天线用于测量外部混波室内(被测屏蔽壳体外部)的场强。天线所连电缆的另一端连接到外部 昆波室壁面上的接口板。发射天线和参考天线应覆盖所关心的频率范围。 接收天线是安装在被测屏蔽壳体壁面上用于测量屏蔽壳体内部场强的单极子天线。需在被测屏蔽 壳体的某个壁面靠近中心处安装单极子天线。单极子天线的终端连接50Q的同轴电缆,电缆的另一端 连接到外部混波室壁面上的接口板。 发射天线和参考天线一般选用匹配良好的天线,天线与接口板之间的射频电缆应在所关心的频率 范围内具有良好的屏蔽性能。应特别注意单极子天线的连接电缆,因为该电缆及其连接器的信号泄漏 将影响测量动态范围,

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1) 使用的测量设备:包括设备名称、型号、制造商、序号、校准有效日期 j) 测量方法和试验配置; k) 屏蔽效能的计算方法及计算公式; 1) 与标准测量方法的差异; m)屏截效能测量结果。

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任进行屏蔽效能测 围的改进。为了提高效率,在正式测量前按 第6章的方法进行初测和

以下是常规频率范围的测量方法,也可用于扩展频段: 在低频段(9kHz~30MHz),选择小环天线(直径小于1m)作为发射和接收天线; 在高频段(30MHz~18GHz),应使用偶极子天线、喇叭天线以及其他的类似天线。 根据4.2的测试计划,在以下8个相对较窄的频段中任选一个频点进行测量:9kHz~16kHz、 40kHz~160kHz、14MHz~30MHz、50MHz~100MHz、300MHz~400MHz、600MHz~ 1000MHz、8.5GHz~10.5GHz、16GHz~18GHz。设施所独有的频率也需要考虑测量

以下是常规频率范围的测量方法,也可用于扩展频段: 在低频段(9kHz~30MHz),选择小环天线(直径小于1m)作为发射和接收天线; 在高频段(30MHz~18GHz),应使用偶极子天线、喇叭天线以及其他的类似天线。 根据4.2的测试计划,在以下8个相对较窄的频段中任选一个频点进行测量:9kHz~16kHz 40kHz~160kHz、14MHz~30MHz、50MHz~100MHz、300MHz~400MHz、600MHz~ L 000 MHz.8.5 GHz~10.5 GHz.16 GHz 设施所独有的频率也需要考虑测量

在初测前,应对被测屏蔽壳体的泄漏情况进行测量。 测量时,被测屏蔽壳体正常工作时通常存在的辅助设备应按正常使用状态布置。其他设备应在测 量前移出屏蔽壳体, 发射天线和接收天线的位置应与第6章相同,调整天线的位置和方向以得到最大的响应,并在所有 可接近的屏蔽壁面上进行扫描检测,以确定泄漏最大的部位。 应对门、电源滤波器、通风孔、缝隙、同轴电缆和波导装置、逃生口、液体管道接口处进行检测。依据 机构可决定是先改进还是继续测量

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附录B (资料性附录) 利用磁场测量方法(≤300MHz)测量小尺寸且电小屏蔽壳体的屏蔽效能

量方法(≤300MHz)测量小尺寸且电小屏蔽壳位

本附录仅测量磁场(≤300MHz)屏蔽效能,有时也称作表面磁场衰减。假设电小屏蔽壳体是由表 面电阻小于几欧姆的导电材料制成,由于屏蔽壳体壁的短路作用,内部不存在电场, 对于尺寸为0.1m~0.75m的屏蔽壳体,满足式(B.1)则认为是电小屏蔽壳体:

++.++..+++.++.++.++(B.)

1一一屏蔽壳体的最大尺寸,单位为米(m); 入一一测量频率范围内的最短波长,单位为米(m)。 屏蔽壳体的最大尺寸远小于屏蔽壳体第一谐振频率点对应的波长,利用式(B.2)可将式(B.1)转换 为测量频率上限

式中: F 测量频率上限,单位为赫兹(Hz); 真空中的光速为3×10°,单位为米每秒(m/s); 入—测量频率范围内的最短波长,单位为米(m)。 式(B.1)与式(B.3)等效:

f一测量频率上限,单位为赫兹(Hz); 真空中的光速为3×10°,单位为米每秒(m/s); 一一屏蔽壳体的最大尺寸,单位为米(m)。 对于最大尺寸0.1m的屏蔽壳体,测量频率上限为300MHz,对于最大尺寸0.75m的屏蔽壳体,测 量频率上限为40MHz。注意以上测量频率上限远小于最大尺寸为半波长时的空腔谐振频率(分别为 1.5GHz和200MHz)。对测量频率上限的其他限制条件是测量装置和探头的设计和尺寸。 本附录只测量主要分量为磁场(即垂直于电流的场分量)的屏蔽效能(假设其余的场分量较小)。如 果要测量其他方位条件下的屏蔽效能,那么屏蔽壳体应在测量装置中重新布置

要求将被测屏蔽壳体放置在接有终端负载的带状线或横电磁传输波(TEM)室中,其特性阻抗最 02。由网络分析仪提供输出信号(如果需要,可接入功率放大器),在测量装置内形成电磁场。 同的磁场探头测量带状线中和屏蔽壳体内部的磁场,磁场探头的输出连接至网络分析仪的输人 中和屏蔽壳体内部的磁场探头的输出信号分贝值之差即为磁场屏蔽效能或表面磁场衰减

GB/T 392782020

B.4.3电缆上的铁氧体环

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B.4.4测量设备的底噪声

在试验过程中,应在移走被测 式,所有的辅助设备应开机。为保证 量时的接收信号应至少高于底噪声 6dB。当在屏蔽室外测量时,应在底 生行测量,并记录测量时的本底噪声

B.4.5测量频段划分以及推荐的灵敏度

测量频段的选择取决于测量系统的性能参数和/或事先确定的屏蔽效能要求。应对每个频段和带 宽的校准进行确认和记录。如果测量频率范围分为个频段,宜至少有2%的重叠。对于各个频段,分 辨率带宽设置应保证测量准确性以及频率分辨率满足要求,每次扫描的最少扫描点数为400。如果使 用频率步进,应在试验方法中规定最少的步进数, 扫描速率、起始频率、终止频率的设置应保证测量的准确性。为保证测量结果准确性,分辨率带宽 应设为足够小,扫描时间设为足够长。用于扫频测量的设备应具有在整个带宽和幅值范围的跟踪能力, 以免由于跟踪能力不够引入虚假的衰减

B.4.6衰减器、分相器、功分器和端口匹配网络

用于隔离的衰减器通常具有50Q的阻抗和10dB的衰减。50Q的阻抗是因为需要与50Q的信 导发生器和射频信号测量设备的阻抗相匹配,对于阻抗不是50Q的测量装置,衰减器应具有将测量装 置与50Q的阻抗相匹配的功能以及10dB的衰减,以确保电压输出和相应测量桥路的建立。其他要求 是,测量桥路的输入和输出应与试验仪器设备的阻抗相匹配,避免信号发生器过载和出现错误的测量结 果。在保证测量结果准确性的前提下,可改变测量配置中10dB的衰减要求,即可使用其他衰减值的衰 或器。 频谱分析仪、矢量网络分析仪、S参数测量系统以及专用的测量装置可能需要使用功分器、分相器 以及其他专用的射频元器件。这些元器件应满足功率和频率要求

对于所有的测量装置和设备,输入和输出电缆应分开。所有的电缆都应是双层屏蔽电缆,并且应尽 可能短。两个磁场探头连接测量仪器的电缆应等长。如果校准过程中使用衰减器,其连接的电缆也应 等长

如果发现测量背景噪声很高,应在屏蔽室中进行测量,以消除所有外界干扰信号的影响,同时应遵 循以下测量程序: a) 测量配置中所有的设备至少预热15min,以确保达到热稳定性。此外,整个测量系统的最短 预热时间应不低于各台设备中的最长预热时间。 b)由于一次扫描整个频率范围时的分辨率可能不够,测量频率范围通常应划分成多个频段。实

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际测量频段的确定或选择取决于测量仪器的性能,如给出有效读数的能力以及扫描时的记录 点数。如果带宽和测量准确性足够,每次扫描的最少扫描点数是400。也可采用每倍频程至 少20步的频率步进测量方法。 C 扫描速率、起始频率和终止频率的设置应保证测量的准确性,并且测量动态范围符合要求。为 保证测量结果准确性,分辨率带宽应设为足够小,扫描时间设为足够长。 d)在测量之前应确认磁场探头的一致性。将两个环天线探头同时放置在带状线的中心位置,如 果两个环天线探头受到相同的均匀场的照射,所得的输出应相同。将两个磁场探头均放置在 带状线的中心位置,确定测量动态范围 e 磁场探头与测量通道输人端口之间应接人可调衰减器,初始的衰减值宜为60dB。 将功率放大器以及信号发生器的输出功率设置为最小,逐渐增加功率输出直至信号电平高于 本底噪声6dB,将其作为进行60dB衰减的校准参考设置。 g) 在衰减值设为OdB,进行校准并记录。 h 在所需的参考值确认之后,将被测屏蔽壳体放人带状线中。 i) 进行频率扫描并记录测量结果

际测量频段的确定或选择取决于测量仪器的性能,如给出有效读数的能力以及扫描时的记录 点数。如果带宽和测量准确性足够,每次扫描的最少扫描点数是400。也可采用每倍频程至 少20步的频率步进测量方法。 扫描速率、起始频率和终止频率的设置应保证测量的准确性,并且测量动态范围符合要求。为 保证测量结果准确性,分辨率带宽应设为足够小,扫描时间设为足够长。 d)在测量之前应确认磁场探头的一致性。将两个环天线探头同时放置在带状线的中心位置,如 果两个环天线探头受到相同的均勾场的照射,所得的输出应相同。将两个磁场探头均放置在 带状线的中心位置,确定测量动态范围 e)磁场探头与测量通道输人端口之间应接人可调衰减器,初始的衰减值宜为60dB。 将功率放大器以及信号发生器的输出功率设置为最小,逐渐增加功率输出直至信号电平高于 本底噪声6dB,将其作为进行60dB衰减的校准参考设置。 g)在衰减值设为OdB,进行校准并记录。 h)在所需的参考值确认之后,将被测屏蔽壳体放人带状线中。 进行频率扫描并记录测量结果

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附录 C (资料性附录) 混波室中的电小尺寸屏蔽壳体

本附录的方法可测量物理尺寸小且电小的屏蔽壳体的屏蔽效能。电大屏蔽壳体需要容积足够大以 获得至少60种模式。当容积一定时,60种模式的条件决定最低测量频率fmin。当频率低于fmin时, 第7章的方法不再适用。随着频率降低,可分辨各个不同的谐振模式,屏蔽效能测量结果严重依赖于探 头在被测屏蔽壳体内的位置。频率继续降低,会落到被测屏蔽壳体的准静态频率范围。在此频率范围 为,矩形屏蔽壳体的最大边长小于半波长。此时,被测空屏蔽壳体内部的场分布是相互正交的屏蔽壳体 三个轴线方向的主模(TE10)的调落场分布(无传播)的组合,确切的场分布取决于外部激励场。被测屏 蔽壳体上的大孔或穿人入屏蔽壳体的导体会扰乱屏蔽壳体内的准静态场分布。在前面的讨论中,假设测 量频率在外部混波室的最低工作频率之上。 当被测屏蔽壳体处于准静态频率范围时,被测屏蔽壳体在三个相互正交的方向上均有固定的场强 分布,存在进行三个轴线上内部场测量的可能性。若采用理想的无扰动场探头,屏蔽壳体任意壁面法向 电场的测量结果与场探头的位置相关,因为电场法向分量在垂直于调落场的方向上服从正弦分布,最大 场强在壁面的中间,而棱边处场强为零。这是由于棱边处相互垂直的导电壁使得法向电场为零。 探头的类型也会影响测量,特别是如果在小屏蔽壳体内用小环天线,可能得到与单极子天线不同的 测量结果。由屏蔽壳体用户确定选用单极子天线还是环天线,因为这取决于哪种探头与最终的应用(即 敏感电路)更相似。因此,与用户有关的诸多因素使得难以由标准条款保证测量的可重复性。然而,使 用混波室测量小屏蔽壳体屏蔽效能的方法可对屏蔽壳体施加极化和人射方向随机的激励场。这样,无 需改变混波室内被测屏蔽壳体的位置和方位,即可快速激励屏蔽壳体上所有的孔洞、缝隙和其他的 缺陷。 特别小的屏蔽壳体,如那些安装在印制电路板上的小屏蔽罩,很可能嵌套在一个更大的设备屏蔽壳 体内,这些小屏蔽壳体为子系统提供局部屏蔽。当外部的屏蔽壳体不在准静态频率范围、但内部小屏蔽 壳体工作在准静态频率范围内时,这与前面提出的混波室测量方法的情况相似。虽然小屏蔽壳体内的 模式没有被搅拌,但由于外部屏蔽壳体的尺寸未限定,因此,单次的模式搅拌测量可模拟很大尺寸范围 的外部屏蔽壳体的特性。外部场源相对于准静态屏蔽壳体的位置非常重要。对于大屏蔽壳体内的局部 屏蔽,在局部屏蔽提供准静态屏蔽的情况下,场源可能处于相关距离内,或频率处于模式搅拌测量环境 汤的谐振频率之间。如果在此距离范围内,屏蔽测量中模式搅拌的作用将减弱,外部屏蔽壳体对准静态 屏蔽壳体的性能影响也会减弱,

测量所用设备如下: )矢量网络分析仪,测量微波网络的幅值和相位: b)发射天线,使用偶极子天线、双锥天线、八木天线、对数周期天线、喇叭天线等阻抗匹配良好的 线极化天线; )场探头,用于被测屏蔽壳体外部和内部的场探头为电小单极子大线或小环; d)同轴电缆,使用射频同轴电缆时宜采用屏蔽效能足够高的同轴电缆,如双层屏蔽同轴电缆。

测量所用设备如下: a)矢量网络分析仪,测量微波网络的幅值和相位: b 发射大线,使用偶极子大线、双锥大线、八木大线、对数周期大线、喇叭大线等阻抗匹配良 线极化天线; c)场探头,用于被测屏蔽壳体外部和内部的场探头为电小单极子大线或小环; d)同轴电缆,使用射频同轴电缆时宜采用屏蔽效能足够高的同轴电缆,如双层屏蔽同轴电缆

GB/T 39278—2020

C.3.1源远离被测屏蔽壳体

该测单件模拟通况源远离被测屏 此时,可用混波室产生一个由无限个随机平 成的随机激励源,源的极化和方向都是随机的。 测量布置见7.9

C.3.2源在相关距离内

对于源可能处于相关距离内的电小屏蔽壳体,推荐测量式(C.1)中的参数Z以确认是否符合这 条件。在这种情况下,所测屏蔽效能既与源的位置、源的类型相关,也与内部探头的位置和类型相关。 测试报告应包括上述附加信息, 为估计准静态屏蔽情况下,模式搅拌作用和外部屏蔽壳体对准静态屏蔽的影响,由式(C.1)定义参 数Z

21s.I 2o. 2Is.I

C.4.1基于功率的屏蔽效能

对于内部场只是儿个模式叠加的小屏蔽壳体,可使用基于功率或基于电压的屏蔽效能 基于功率的屏蔽效能计算见7.10,利用测量的S参数计算屏蔽效能。同样需考虑内部探头的阻抗 失配。平均值的计算方法见7.11。

GB/T 7826-2012 系统可靠性分析技术 失效模式和影响分析(FMFA)程序C.4.2基于电压的屏蔽效能

屏蔽壳体与有屏蔽壳体时内部探头感应电压之比

GB/T 39278—2020

式中: SE一一屏蔽壳体的屏蔽效能,单位为分贝(dB); S一无屏蔽壳体时内部探头感应电压与发射信号之比; S31 有屏蔽壳体时内部探头感应电压与发射信号之比; ne 代表无屏蔽壳体; we一一代表有屏蔽壳体。 这一定义可用于表征敏感电路上的感应电压的减少程度。感应电压会导致电路失效。此定义能突 出屏蔽壳体的谐振状态,谐振时感应电压增强,使电子设备处于危险状态。然而,探头类型(共模或差模 耦合)和探头负载对感应电压的影响非常大。若直接连接测量设备,探头的负载大小取决于测量仪器 (典型值为50Q).也可通过阻抗转换器改变

C.5内部探头以及布置

内部场探头的选择与布置是电小屏蔽壳体屏蔽效能测量的关键。 应至少测量三个位置,将探头安装在屏蔽壳体的三个相互垂直壁面上,并且将探头依次沿三个正交 轴方向放置。探头应安装在壁面上敏感电路预期安装的位置(如印制电路板、传感器、关键零部件)。探 头的类型取决于设备的最终应用。例如,如果关心差模耦合,可选用与敏感电路尺寸相近的小环。当采 用基于电压的屏蔽效能时,应选择其他类型的探头,这一点尤为重要, 在采用C.4.2中屏蔽效能定义的情况下SW/T 7-2013 植物提取物 水飞蓟提取物,无屏蔽壳体时要求探头安装在参考接地面上,参考接地面 的边长应至少是最低测量频率对应波长的一半

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